N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应管 630 ● 产品特点 ：该功率M OS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术，具有极快的开关速度、极低的栅电荷、极 低的反向传输电容、最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性； ● 应用范围 ： 高效 AC-DC开关电源、DC-DC电源
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| N沟道增强型高压功率MOS场效应管 630 | ||||||||
| ●产品特点：该功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术，具有极快的开关速度、极低的栅电荷、极 | ||||||||
| 低的反向传输电容、最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性； | ||||||||
| ●应用范围： 高效AC-DC开关电源、DC-DC电源转换器、PWM马达控制、高压H桥式驱动电路等； | ||||||||
| ●极限参数（Tc=25℃） | ||||||||
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 | |||||
| Parameter | Symbol | Value | Unit | BitmapBitmap | ||||
| 最大漏源电压 | VDSS | 200 | V | |||||
| 最大持续漏极电流TC=25℃ | ID | 9 | A | |||||
| 漏极脉冲电流 | IDM | 36 | A | |||||
| 栅源电压 | VGS | ±30 | V | |||||
| 雪崩电流 | IAR | 9 | A | |||||
| 单脉冲雪崩能量 | EAR | 7.4 | MJ | |||||
| 重复脉冲雪崩能量 | EAS | 160 | MJ | |||||
| 最大耗散功率TC=25℃ | PD | 72 | W | |||||
| 工作结温 | Tj | 150 | ℃ | |||||
| 贮存温度 | Tstg | -55～150 | ℃ | |||||
| ●热阻 （TC=25℃） | ||||||||
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 | TO-220 | ||||
| Parameter | Symbol | Value | Unit | |||||
| 热阻结到管壳 | Rth（j-c） | 0.56 | ℃/W | |||||
| 热阻结到环境 | Rth（j-a） | 62 | ℃/W | |||||
| ●电特性 （Tc=25℃,除非有其他的温度存在） | ||||||||
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