N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应管 75N75 ● 产品特点 :该功率M OS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术,具有极快的开关速度、极低的栅电荷、极 低的反向传输电容、最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性; ● 应用范围 : 高效 AC-DC开关电源、DC-DC电源
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N沟道增强型高压功率MOS场效应管 75N75 | ||||||||
●产品特点:该功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术,具有极快的开关速度、极低的栅电荷、极 | ||||||||
低的反向传输电容、最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性; | ||||||||
●应用范围:高效AC-DC开关电源、DC-DC电源转换器、PWM马达控制、高压H桥式驱动、通讯及计算机领域 | ||||||||
●极限参数(Tc=25℃) | ||||||||
参数 | 符号 | 额定值 | 单位 | |||||
Parameter | Symbol | Value | Unit | BitmapBitmap | ||||
最大漏源电压 | VDSS | 75 | V | |||||
最大持续漏极电流TC=25℃ | ID | 75 | A | |||||
漏极脉冲电流 | IDM | 300 | A | |||||
栅源电压 | VGS | ±30 | V | |||||
雪崩电流 | IAR | 75 | A | |||||
单脉冲雪崩能量 | EAR | 300 | MJ | |||||
重复脉冲雪崩能量 | EAS | 900 | MJ | |||||
最大耗散功率TC=25℃ | PD | 220 | W | |||||
工作结温 | Tj | 150 | ℃ | |||||
贮存温度 | Tstg | -55~150 | ℃ | |||||
●热阻 (TC=25℃) | ||||||||
参数 | 符号 | 额定值 | 单位 | TO-263 | ||||
Parameter | Symbol | Value | Unit | |||||
热阻结到管壳 | Rth(j-c) | 0.8 | ℃/W | |||||
热阻结到环境 | Rth(j-a) | 62.5 | ℃/W | |||||
●电特性 (Tc=25℃,除非有其他的温度存在) |